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NTMFS4120N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
6000
T J = 25 ° C
5
QT
5000
4000
C iss
4
Q GS
Q GD
V GS
3
3000
C oss
C rss
2000
1000
0
0 5 10
15 20
25
2
1
0
0
5
10 15
20
25
V DD = 15 V
V GS = 4.5 V
I D = 24 A
T J = 25 ° C
30
35
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
45
40
35
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
30
100
t f
t r
25
20
15
t d(off)
t d(on)
10
5
10
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
500
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
450
I D = 30 A
100
10 m s
400
350
10
100 m s
1 ms
300
250
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
10 ms
dc
200
150
100
0.01
0.1
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100
50
0
25
50
75
100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs
Starting Junction Temperature
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